首页> 外文OA文献 >Erratum: 'On the location and stability of charge in SiO2/SiNx dielectric double layers used for silicon surface passivation' [Journal of Applied Physics (2014) 115 (144105)]

【2h】

Erratum: 'On the location and stability of charge in SiO2/SiNx dielectric double layers used for silicon surface passivation' [Journal of Applied Physics (2014) 115 (144105)]

机译：勘误：“关于用于硅表面钝化的siO2 / siNx介电双层电荷的位置和稳定性”[应用物理学报（2014）115（144105）]

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
相似文献
相关主题

著录项

作者
Bonilla, R.S.; Reichel, C.; Hermle, M.; Wilshaw, P.R.;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2015
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. On the location and stability of charge in SiO_2/SiN_x dielectric double layers used for silicon surface passivation [J] . Ruy S. Bonilla, Christian Reichel, Martin Hermle, Journal of Applied Physics . 2014,第14期

机译：硅表面钝化用SiO_2 / SiN_x介电双层中电荷的位置和稳定性
2. Erratum: Effects of image charges, interfacial charge discreteness, and surface roughness on the zeta potential of spherical electric double layers (Journal of Chemical Physics (2012) 137 (034708)) (Erratum) [J] . Gan Z., Xing X., Xu Z. The Journal of Chemical Physics . 2012,第16期

机译：勘误表：图像电荷，界面电荷离散度和表面粗糙度对球形双电层zeta电位的影响（化学物理学报（2012）137（034708））（勘误表）
3. Behavior of SiNx/SiO2 Double Layer for Surface Passivation of Compensated p-Type Czochralski Silicon Wafers [J] . Maoudj M., Bouhafs D., Bourouba N., Journal of Electronic Materials . 2019,第6期

机译：补偿P型Czochralski硅晶片表面钝化Sinx / SiO2双层的行为
4. Stability Enhancement of LTPS TFTs Using Dual-layer SiO2/SiNx Gate Dielectrics [C] . Po-Hao Tsai, Hung-Tse Chen, Chi-Lin Chen, IDMC'05;International Display Manufacturing Conference Exhibition . 2005

机译：使用双层SiO2 / SiNx栅极电介质增强LTPS TFT的稳定性
5. Zero-charge” SiO2/Al2O3 stacks for the simultaneous passivation of n+ and p+ doped silicon surfaces by atomic layer deposition [O] . Loo, van de, BWH Bas, Knoops, HCM Harm, Dingemans, G Gijs, 2015

机译：零电荷的SiO2 / Al2O3叠层，用于通过原子层沉积同时钝化n +和p +掺杂的硅表面

Erratum: 'On the location and stability of charge in SiO2/SiNx dielectric double layers used for silicon surface passivation' [Journal of Applied Physics (2014) 115 (144105)]

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅